发明名称 |
闸介电层的制作方法 |
摘要 |
一种闸介电层的制作方法,其是先进行氧化处理,以于基底上形成氧化物层;然后,进行氮化处理,以于氧化物层上形成氮化物层;之后,在氮气与氧气的混合气体中进行回火处理,其特征在于回火处理的温度介于900℃至950℃之间,回火处理的压力介于5Torr至10Torr之间,且混合气体中氮气含量与氧气含量的比值介于0.5至0.8之间。本发明在制作闸介电层的过程中,于氮气和氧气的混合气体中进行回火处理,其可以有效地避免氮化物层中的氮扩散至外界而造成闸介电层的介电常数下降,且可以修补存在于氧化物层与基底之间的介面的缺陷。 |
申请公布号 |
CN102760658A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201110144271.0 |
申请日期 |
2011.05.31 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
苏国辉;陈逸男;刘献文 |
分类号 |
H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/283(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种闸介电层的制作方法,包括:进行一氧化处理,以于一基底上形成一氧化物层;进行一氮化处理,以于该氧化物层上形成一氮化物层;以及在氮气与氧气的一混合气体中进行一回火处理,其特征在于该回火处理的温度介于900℃至950℃之间,该回火处理的压力介于5Torr至10Torr之间,且该混合气体中氮气含量与氧气含量的比值介于0.5至0.8之间。 |
地址 |
中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |