| 发明名称 | 电子可编程熔丝空置有源区添加方法以及电子可编程熔丝 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电子可编程熔丝空置有源区添加方法以及电子可编程熔丝。电子可编程熔丝包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；并且根据本发明的电子可编程熔丝空置有源区添加方法包括：在所述第一电极和所述第二电极之间区域的硅片中布置了一个或多个附加空置有源区。此外，在相邻的附加空置有源区之间布置了浅沟槽。所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；所述第一金属硅化物部分为附加空置有源区上方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为所述浅沟槽上方的金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN102760720A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201210264372.6 | 申请日期 | 2012.07.27 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 俞柳江 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种电子可编程熔丝空置有源区添加方法，所述电子可编程熔丝包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；其特征在于所述电子可编程熔丝空置有源区添加方法包括：在所述第一电极和所述第二电极之间区域的硅片中布置一个或多个附加空置有源区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||