| 发明名称 | SiCOH低K膜的气相沉积法 | ||
| 摘要 | 公开了适于沉积具有适于后代介电膜的介电常数和杨氏模量的SiCOH膜的前驱体。 | ||
| 申请公布号 | CN102762763A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201180010066.3 | 申请日期 | 2011.02.17 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 发明人 | C·迪萨拉;F·多尼亚;C·安德森;J·J·F·麦克安德鲁 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 唐秀玲;林柏楠 |
| 主权项 | 1.一种在基质上形成SiCOH膜层的方法，所述方法包括以下步骤：-提供安置有至少一个基质的反应室；-向反应室中引入含Si-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-Si的前驱体，其中n=1或2，含Si-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-Si的前驱体选自由以下组成的组：<img file="FDA00002026429600011.GIF" wi="575" he="267" />（式I，其中n=1）和<img file="FDA00002026429600012.GIF" wi="704" he="276" />（式2，其中n=2）其中R1至R4各自独立地选自由H、甲基、乙基、丙基、乙烯基和C1-C3烷氧基组成的组；R5选自由甲基、乙基和丙基组成的组；优选R1至R4中至少一个为甲基、乙基或丙基；且R1至R3中至少一个为烷氧基，其可与-OR5相同或不同；-向反应室中引入具有式Si(R1)<sub>x</sub>(O(R2))<sub>4-x</sub>的含乙烯基的前驱体，其中至少一个R1为乙烯基，任选第二R1为氢或烷基，优选甲基或乙基；各R2独立地选自烷基，优选甲基或乙基；且x为1或2；和-向反应室中引入致孔剂；及-使Si-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-Si前驱体、含乙烯基的前驱体、致孔剂和基质接触以使用沉积方法，优选化学气相沉积在基质的至少一个表面上形成SiCOH膜。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||