发明名称 |
Flächeneffiziente neuromorphe Schaltungen |
摘要 |
Eine neuromorphe Schaltung umfasst einen ersten Feldeffekttransistor in einer ersten Diodenkonfiguration, durch welche eine elektrische Verbindung zwischen einer ersten Gate-Zone und einer ersten Drain-Zone des ersten Feldeffekttransistors aufgebaut wird. Die neuromorphe Schaltung umfasst auch einen zweiten Feldeffekttransistor in einer zweiten Diodenkonfiguration, durch welche eine elektrische Verbindung zwischen einer zweiten Gate-Zone und einer zweiten Drain-Zone des zweiten Feldeffekttransistors aufgebaut wird. Die neuromorphe Schaltung umfasst ferner ein Material veränderbaren Widerstands, welches sowohl mit der ersten Drain-Zone als auch mit der zweiten Drain-Zone elektrisch verbunden ist, wobei das Material veränderbaren Widerstands als ein programmierbarer Widerstandswert dient. Die neuromorphe Schaltung umfasst außerdem einen ersten Knotenpunkt, welcher mit dem Material veränderbaren Widerstands elektrisch verbunden ist und einen ersten Verbindungspunkt zu einem Ausgang einer Neuronenschaltung bereitstellt, und einen zweiten Knotenpunkt, welcher mit dem Material veränderbaren Widerstands elektrisch verbunden ist und einen zweiten Verbindungspunkt zu dem Ausgang der Neuronenschaltung bereitstellt.
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申请公布号 |
DE112010004470(T5) |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
DE201011004470T |
申请日期 |
2010.08.25 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. |
发明人 |
BREITWISCH, MATTHEW JOSEPH;LAM, CHUNG H.;MODHA, DHARMENDRA SHANTILAL;RAJENDRAN, BIPIN |
分类号 |
G06N3/063;G11C11/56;H01L27/28 |
主分类号 |
G06N3/063 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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