发明名称 一种用于检测二维光点位置的传感器
摘要 本发明公开了一种用于检测二维光点位置的传感器,该传感器包括半导体层、绝缘薄膜层、金属导电薄膜层、光敏电阻薄膜层、电阻薄膜层和四个大小相同的引出电极,半导体层位于最下方,绝缘薄膜层、金属导电薄膜层、光敏电阻薄膜层和电阻薄膜层从下向上依次贴合布设在半导体层的顶面,并且光敏电阻薄膜层的顶面面积和电阻薄膜层的顶面面积分别小于金属导电薄膜层的顶面面积,引出电极连接在电阻薄膜层的顶面,引出电极之间有间隙,且四个引出电极位于正方形的四条边上,且相对的两个引出电极围绕正方形的中心点相互对称。该结构的传感器可以用于检测二维光点位置,并且制造成本低廉、测量灵敏度高。
申请公布号 CN102759327A 申请公布日期 2012.10.31
申请号 CN201210227061.2 申请日期 2012.06.30
申请人 东南大学 发明人 秦明;单园园;张睿;黄庆安
分类号 G01B11/00(2006.01)I 主分类号 G01B11/00(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 汤志武
主权项 一种用于检测二维光点位置的传感器,其特征在于,该传感器包括半导体层(1)、绝缘薄膜层(2)、金属导电薄膜层(3)、光敏电阻薄膜层(4)、电阻薄膜层(5)和四个大小相同的引出电极(6),半导体层(1)位于最下方,绝缘薄膜层(2)、金属导电薄膜层(3)、光敏电阻薄膜层(4)和电阻薄膜层(5)从下向上依次贴合布设在半导体层(1)的顶面,并且光敏电阻薄膜层(4)的顶面面积和电阻薄膜层(5)的顶面面积分别小于金属导电薄膜层(3)的顶面面积,引出电极(6)连接在电阻薄膜层(5)的顶面,引出电极(6)之间有间隙,且四个引出电极(6)位于正方形的四条边上,且相对的两个引出电极(6)围绕正方形的中心点相互对称。
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