氮化物半导体发光二极管元件

摘要

本发明的氮化物半导体发光二极管元件包括：n型氮化物半导体层；p型氮化物半导体层；以及在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间设置的有源层，有源层具有量子阱层；以及与p型氮化物半导体层相连的阻挡层的多重量子阱结构，阻挡层由AlGaN层和GaN层的二层结构构成，阻挡层的AlGaN层与量子阱层的p型氮化物半导体层一侧相连。

主权项

一种氮化物半导体发光二极管元件，包括：n型氮化物半导体层；p型氮化物半导体层；和设置在所述n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的有源层，所述有源层具有包含量子阱层和与所述p型氮化物半导体层相连的阻挡层的多重量子阱结构，所述阻挡层由AlGaN层和GaN层的二层结构构成，所述阻挡层的所述AlGaN层与所述量子阱层的所述p型氮化物半导体层一侧相连，所述AlGaN层中的Al原子的含量为10原子％以上。