半导体封装结构及其制造方法

摘要

本发明利用多芯片先堆栈封装再与重新布线层结合，其中下层芯片的主动面朝下直接与重新布线层电性连接，而上层芯片透过设置于下层芯片周围的导电迹线与与重新布线层电性连接。

主权项

一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一基板；形成一导电迹线于所述基板上，其中所述导电迹线环绕于一第一芯片承载区域的周围；设置一第一芯片于所述基板的所述第一芯片承载区域上，其中所述第一芯片的主动面朝下与所述基板接触；设置一第二芯片于所述第一芯片的上方并与所述导电迹线电性连接；形成一封装胶体覆盖所述第一芯片、所述第二芯片、所述导电迹线与所述基板的上表面；移除所述基板，其中所述封装胶体的下表面暴露出所述导电迹线的下表面与所述第一芯片的主动面；设置一重新布线层于所述封装胶体的下表面，其中所述第一芯片与所述导电迹线分别与所述重新布线层电性连接；以及设置多个导电焊球于所述重新布线层的下表面并与所述重新布线层电性连接。