发明名称 在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法
摘要 本发明提供一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法,包括:在高温下在耐高温衬底上制备FTO薄膜;通过透明粘结剂将所述FTO薄膜与低温衬底粘结在一起,得到包含有耐高温衬底、FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底的膜片;将所得到的膜片投入到化学处理液中,待所述耐高温衬底完全溶于所述化学处理液后,取出由FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底所组成的FTO透明导电薄膜;其中,所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底,且不会与所述的FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底发生反应。本发明彻底解决了在低温衬底上不能制备FTO透明导电薄膜的难题。
申请公布号 CN102041505B 申请公布日期 2012.10.31
申请号 CN200910236527.3 申请日期 2009.10.23
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 黄小铭;孟庆波;罗艳红;李冬梅
分类号 C23C26/00(2006.01)I;B32B7/12(2006.01)I;B32B37/26(2006.01)I 主分类号 C23C26/00(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法,包括:步骤1)、在高温下在耐高温衬底(1)上制备FTO透明导电薄膜(2);步骤2)、通过透明粘结剂(3)将所述FTO透明导电薄膜(2)与低温衬底(4)粘结在一起,得到包含有耐高温衬底(1)、FTO透明导电薄膜(2)、透明粘结剂(3)以及低温衬底(4)的膜片;步骤3)、将步骤2)所得到的膜片投入到化学处理液中,待所述耐高温衬底(1)完全溶于所述化学处理液后,取出由FTO透明导电薄膜(2)、透明粘结剂(3)以及低温衬底(4)所组成的FTO透明导电薄膜;其中,所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底(1),且不会与所述的FTO透明导电薄膜(2)、透明粘结剂(3)以及低温衬底(4)发生反应。
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号