发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面,且所述第一半导体层靠近基底设置;一第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极与所述第二半导体层电连接;所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽,所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞,一碳纳米管层设置于所述第一半导体层和基底之间,所述碳纳米管层设置于该孔洞内。本发明提供的发光二极管的光取出效率较高。 |
申请公布号 |
CN102760806A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201110110801.X |
申请日期 |
2011.04.29 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/04(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/04(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面, 且所述第一半导体层靠近基底设置;一第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极与所述第二半导体层电连接;其特征在于:所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽,所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞,所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层,其位于所述第一半导体层和基底之间,所述碳纳米管层设置于该孔洞内。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |