一种硅片的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种硅片的刻蚀方法，涉及半导体芯片加工工艺领域，为降低因颗粒附着造成的刻蚀缺陷而发明。所述刻蚀方法在刻蚀工艺中产生副产物的刻蚀步骤后，增加在预定的上电极功率、下电极功率和压强的条件下，降低刻蚀气体的流量并增加惰性气体的过渡步骤；在过渡步骤之后，去除刻蚀气体，并使用惰性气体进行冲刷，将刻蚀工艺过程中产生的工艺副产物和刻蚀中腔室壁中颗粒被等离子体轰击后悬浮在等离子体中的颗粒带走。本发明可用于半导体硅片的刻蚀工艺中。

主权项

一种硅片的刻蚀方法，其特征在于，包括：在刻蚀工艺中产生副产物的刻蚀步骤后，增加过渡步骤，所述过渡步骤为在预定的上电极功率、下电极功率和压强的条件下，降低刻蚀气体的流量并增加惰性气体；在所述过渡步骤之后，去除所述刻蚀气体，并使用所述惰性气体进行冲刷，将刻蚀工艺过程中产生的工艺副产物和刻蚀中腔室壁中颗粒被等离子体轰击后悬浮在等离子体中的颗粒带走。