| 摘要 |
1. Базовая плата, содержащая множество подложек панели, ! причем ! базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную на основной поверхности, ! каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, ! область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, ! область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, и ! по меньшей мере, одна из подложек панели имеет область края, включающую в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора. ! 2. Базовая плата по п.1, ! в которой подложки панели скомпонованы в шаблон матрицы таким образом, что области края ориентированы в одном направлении, и включают в себя первую подложку панели и вторую подложку панели, ! первая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов. ! 3. Базовая плата по п.2, ! в которой профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзисторов является таким же, как и первый профиль кристаллов. ! 4. Базовая плата по пп.1-3, ! в которой область формирования транзистора включает в себя монолитную интегральную схему, содержащую тонкую пленку из кремния. ! 5. Базовая плата по п.1, ! в которой тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. ! 6. Ба� |
