发明名称 SWITCH ASSEMBLY
摘要 <p>Die Schalteranordnung zum Durchschalten von positiven und negativen Spannungen an einem Eingang zu einem Ausgang ist versehen mit zwei parallel geschalteten Serienschaltungen (24,26) aus zwei PMOS- bzw. zwei NMOS-Transistoren ( 16, 18,20,22), die zwischen den Eingang und den Ausgang geschaltet sind. Dabei sind die Sources und die Substrate der eingangsseitigen PMOS- und NMOS-Transistoren (16,20) mit dem Eingangsanschluss (12) und die Sources sowie die Substrate der ausgangsseitigen PMOS- und NMOS-Transistoren (18,22) mit dem Ausgangsanschluss ( 14) verbunden. Eine Ansteuereinheit (42) legt dann, wenn der Eingangsanschluss (12) gegenüber dem Ausgangsanschluss ( 14) oder umgekehrt gesperrt sein soll, an das Gate des eingangsseitigen PMOS-Tfansistors (16) sowie an das Gate des ausgangsseitigen PMOS -Transistors (18) jeweils eine Steuerspannung an, die größer als die Spannung am Eingangs- bzw. Ausgangsanschluss (12,14) abzüglich der Schwellenspannung des betreffenden PMOS-Transistors (16,18) ist, und an das Gate des eingangsseitigen NMOS-Transistors (20) sowie an das Gate des ausgangsseitigen NMOS-Transistors (22) jeweils eine Steuerspannung an, die kleiner als die Spannung am Eingangs- bzw. Ausgangsanschluss (12,14) zuzüglich der Schwellenspannung des betreffenden NMOS-Transistors (20,22) ist. Ferner legt die Ansteuereinheit (42) dann, wenn der Eingangsanschluss (12) leitend mit dem Ausgangsanschluss (14) verbunden sein soll, an das Gate des eingangsseitigen PMOS-Transistors (16) sowie an das Gate des ausgangsseitigen PMOS-Transistors (18) jeweils eine Steuerspannung an, die um mindestens die Schweltenspannung des betreffenden PMOS-Transistors (16,18) kleiner als die Spannung am Eingangs- bzw. Ausgangsanschluss (12,14) ist, und an das Gate des eingangsseitigen NMOS-Transistors (20) sowie an das Gate des ausgangsseitigen NMOS-Transistors (22) jeweils eine Steuerspannung an, die um mindestens die Schwellenspannung des betreffenden NMOS-Transistors (20,22) größer als die Spannung am Eingangs- bzw. Ausgangsanschluss ist.</p>
申请公布号 WO2012143347(A1) 申请公布日期 2012.10.26
申请号 WO2012EP56986 申请日期 2012.04.17
申请人 ELMOS SEMICONDUCTOR AG;GRIGORIEV, ANATOLI;GUBANOV, DMITRI 发明人 GRIGORIEV, ANATOLI;GUBANOV, DMITRI
分类号 H03K17/10;H03K17/687 主分类号 H03K17/10
代理机构 代理人
主权项
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