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Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleitersubstrat (1), das eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (41, 42) aufweist und eine erste Verunreinigungsregion (11) eines ersten Leitungstyps beinhaltet; einer zweiten Verunreinigungsregion (12) eines zweiten Leitungstyps, die in der ersten Hauptoberfläche (41) des Halbleitersubstrates (1) ausgebildet ist und durch die erste Verunreinigungsregion (11) an der ersten Hauptoberfläche (41) umgeben ist, einer dritten Verunreinigungsregion (13) des ersten Leitungstyps, die in der ersten Hauptoberfläche (41) ausgebildet ist und mit der ersten Verunreinigungsregion (11) sandwichartig die zweite Verunreinigungsregion (12) einschließt, einer vierten Verunreinigungsregion des zweiten Leitungstyps, die selektiv in der zweiten Hauptoberfläche (42) des Halbleitersubstrates (1) ausgebildet ist und zusammen mit der zweiten Verunreinigungsregion (12) sandwichartig die erste Verunreinigungsregion (11) einschließt, einer fünften Verunreinigungsregion (15) des ersten Leitungstyps, die eine höhere Verunreinigungskonzentration als die erste Verunreinigungsregion (11) aufweist, selektiv in der zweiten Hauptoberfläche (42) des Halbleitersubstrates (1) ausgebildet ist, und zusammen mit der... |
