Verfahren zum Steigern der Integrität eines Gatestapels mit großemεdurch Erzeugen einer gesteuerten Unterhöhlung auf der Grundlage einer Nasschemie und mit den Verfahren hergestellter Transistor

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrodenstruktur (110) eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Ausführen einer ersten Ätzsequenz zum Strukturieren eines Gateschichtstapels (110S), der über einem Substrat (101) ausgebildet ist, wobei der Gateschichtstapel (110S) eine Gatedielektrikumsschicht (111) mit einem dielektrischen Material mit großemε, ein über der Gatedielektrikumsschicht (111) gebildetes metallenthaltendes Elektrodenmaterial (112) und ein über dem metallenthaltenden Elektrodenmaterial gebildetes Halbleitermaterial (113) aufweist; Ausführen einer zweiten Ätzsequenz derart, dass ein unterhöhlter Bereich (115) in dem strukturierten Gateschichtstapel (110S) unter dem Halbleitermaterial (113) gebildet wird, wobei die zweite Ätzsequenz einen ersten Ätzschritt und einen zweiten Ätzschritt auf der Grundlage von Flusssäure und einen Prozessschritt auf der Grundlage von Ozon umfasst, der zwischen dem ersten und dem zweiten Ätzschritt ausgeführt wird; und Bilden einer schützenden Beschichtung (116) auf freiliegenden Oberflächenbereichen zumindest des unterhöhlten Bereichs (115).