Verfahren zur Bildung von Halbleiterstrukturen

摘要

Verfahren zur Musterbildung eines monokristallinen Siliziumfilms, umfassend: Bilden einer Hartmaske auf einem monokristallinen Siliziumfilm, Ätzen des monokristallinen Siliziumfilms auf eine solche Weise, dass dieser auf die Hartmaske ausgerichtet wird, um eine mit einer Hartmaske abgedeckte monokristalline Siliziumstruktur mit einer Oberseite und einem Paar seitlich gegenüberliegender Seitenwände zu bilden, und Einwirkenlassen eines nasschemischen Ätzmittels auf den mit der Hartmaske abgedeckten monokristallinen Siliziumfilm, um einen Abschnitt des monokristallinen Siliziumfilms wegzuätzen, wobei das Ätzmittel NH4OH und Wasser umfasst und die NH4OH-Konzentration weniger als 1 Volumenprozent beträgt.