摘要 |
<p>Es sind Verfahren zum Laserritzen eines Schichtstapels (13), der mehrere Dünnfilmschichten auf einem Substrat (12) aufweist, geschaffen. Ein Impuls eines Laserstrahls (30) wird auf den Schichtstapel (13) angewandt, wobei der Laserstrahl (30) eine Leistung aufweist, die während des Impulses in Abhängigkeit von der Zeit gemäß einem vordefinierten Leistungszyklus variiert. Zum Beispiel kann der Impuls einen Impuls aufweisen, der etwa 0,1 Nanosekunden bis etwa 500 Nanosekunden dauert. Der Impuls des Laserstrahls (30) kann über dem Schichtstapel (13) wiederholt werden, um eine Ritzlinie durch wenigstens eine der Dünnfilmschichten auf dem Substrat (12) zu erzeugen. Derartige Verfahren sind insbesondere zum Laserritzen einer Cadmiumtellurid-Dünnfilm-basierten Photovoltaikvorrichtung (10) nützlich.</p> |