发明名称 Verfahren zur zeitlichen Veränderung der Laserintensität während des Ritzens einer Photovoltaikvorrichtung
摘要 <p>Es sind Verfahren zum Laserritzen eines Schichtstapels (13), der mehrere Dünnfilmschichten auf einem Substrat (12) aufweist, geschaffen. Ein Impuls eines Laserstrahls (30) wird auf den Schichtstapel (13) angewandt, wobei der Laserstrahl (30) eine Leistung aufweist, die während des Impulses in Abhängigkeit von der Zeit gemäß einem vordefinierten Leistungszyklus variiert. Zum Beispiel kann der Impuls einen Impuls aufweisen, der etwa 0,1 Nanosekunden bis etwa 500 Nanosekunden dauert. Der Impuls des Laserstrahls (30) kann über dem Schichtstapel (13) wiederholt werden, um eine Ritzlinie durch wenigstens eine der Dünnfilmschichten auf dem Substrat (12) zu erzeugen. Derartige Verfahren sind insbesondere zum Laserritzen einer Cadmiumtellurid-Dünnfilm-basierten Photovoltaikvorrichtung (10) nützlich.</p>
申请公布号 DE102012103243(A1) 申请公布日期 2012.10.25
申请号 DE201210103243 申请日期 2012.04.13
申请人 PRIMESTAR SOLAR, INC. 发明人 JONATHAN MACK, FREY
分类号 H01L31/18;B23K26/40;H01L21/268 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人
主权项
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