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Überschlagsfeste Anordnung eines Halbleiterbauelements (1) mit einer integrierten Schaltung in einem no-lead Gehäuse, insbesondere einem QFN oder LDA Gehäuse (2), auf einem Substrat (3, 7), wobei das Halbleiterbauelement (1) auf seiner zum Substrat (3, 7) gerichteten Gehäuseunterseite zwei oder mehr elektrische Kontaktflächen (4) aufweist, zwischen denen im Betrieb des Halbleiterbauelements (1) eine Hochspannung besteht, und die Kontaktflächen (4) des Gehäuses (1) mit korrespondierenden Kontaktflächen (6) des Substrats (3, 7) elektrisch miteinander verbunden sind dadurch gekennzeichnet, dass zur Vermeidung eines Spannungsüberschlags, zwischen dem Halbleiterbauelement (1) und dem Substrat (3, 7) im Bereich zwischen den Kontaktflächen (4) ein elektrisch nicht leitender Kleber (5) vorhanden ist.
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