Planarisierungsschema für Silizium-Durchkontaktierungen

摘要

Im Allgemeinen wird ein Gegenstand offenbart, der leitende Kontaktelemente, wie etwa Siliziumdurchkontaktierungen (TSVs) und Verfahren zum Bilden selbiger betrifft. Ein beispielhaftes hierin offenbartes Verfahren umfasst ein Bilden einer Schicht aus Isolationsmaterial über einer Kontaktierungsöffnung, die in einer Halbleitervorrichtung ausgebildet ist. Dabei erstreckt sich die Kontaktierungsöffnung in ein Substrat der Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst auch ein Durchführen eines ersten Planarisierungsprozesses, um wenigstens einen oberen Bereich der Schicht aus Isolationsmaterial zu entfernen, der außerhalb der Kontaktierungsöffnung ausgebildet ist, und ein Bilden eines leitenden Kontaktelementes in der Kontaktierungsöffnung nach dem Durchführen des ersten Planarisierungsprozesses.