| 发明名称 | 用于制造氮化镓晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制造氮化镓(GaN)晶片的方法。在根据实施方式的用于制造GaN晶片的方法中，在衬底上形成蚀刻阻挡层，且在所述蚀刻阻挡层上形成第一GaN层。使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分，且在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层。在所述第二GaN层上形成第三GaN层。 | ||
| 申请公布号 | CN102754188A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201180008490.4 | 申请日期 | 2011.01.28 |
| 申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 金容进;李东健;金杜洙;李浩准;李启珍 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 张颖玲;孟桂超 |
| 主权项 | 一种用于制造氮化镓(GaN)晶片的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层上形成第一GaN层；使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分；在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层；以及在所述第二GaN层上形成第三GaN层。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||