| 发明名称 | 嵌埋穿孔芯片的封装结构及其制法 | ||
| 摘要 | 一种嵌埋穿孔芯片的封装结构及其制法，该嵌埋穿孔芯片的封装结构包括：介电层，具有第一及第二表面；穿孔芯片，嵌埋于该介电层中，且该穿孔芯片具有多个导电穿孔，并在一表面上具有电性连接各该导电穿孔且外露于该介电层的第二表面的电极垫；以及第一线路层，设于该介电层的第一表面上，且该第一线路层与该穿孔芯片的导电穿孔之间具有电性相连接的导电盲孔，以令高布线密度的芯片可设于该穿孔芯片的电极垫上，以整合高布线密度的半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN102751248A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201110106836.6 | 申请日期 | 2011.04.22 |
| 申请人 | 欣兴电子股份有限公司;苏州群策科技有限公司 | 发明人 | 曾昭崇 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种嵌埋穿孔芯片的封装结构，包括：介电层，具有第一及第二表面；穿孔芯片，嵌埋于该介电层中，且该穿孔芯片具有多个导电穿孔，并在一表面上具有电性连接各该导电穿孔且外露于该介电层的第二表面的电极垫；以及第一线路层，设于该介电层的第一表面上，且该第一线路层与该穿孔芯片的导电穿孔之间具有电性相连接的导电盲孔。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||