发明名称 一种大功率MOSFET驱动器
摘要 本实用新型涉及一种大功率MOSFET驱动器,TTL式的MOSFET驱动信号,光电隔离器U1的输入单元,输入到比较器U2的负端,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路,本实用新型具有驱动能力大,电气完全隔离,可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作,性能稳定可靠,尤其是在精密大电流闭环场合,更能发挥其控制优势。
申请公布号 CN202503492U 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201120504305.8 申请日期 2011.12.07
申请人 哈尔滨智木科技有限公司 发明人 淡博;李金录
分类号 H03K17/78(2006.01)I 主分类号 H03K17/78(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种大功率MOSFET驱动器,具有以下特征:TTL式的 MOSFET驱动信号,经过低压电压和限流电阻R1,然后经光电隔离器U1的输入单元,实现输入信号的隔离,输出信号经过正电源,再经输出限流电阻R2,再经光电隔离器U1的输出单元,接入负地,这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源,经隔离输出的信号再通过限流电阻R3,输入到比较器U2的负端,比较器U2的正端经电阻R3接到地,信号经比较后,再经限流电阻R5,输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上,Q1与Q2的射极输出相联,然后经限流保护电阻R6,再驱动大功率MOSFET,大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接,形成驱动电流回路。
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