发明名称 |
与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器及制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种嵌入式动态存储器及制备方法,尤其是一种与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器及制备方法,属于集成电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器,包括半导体基板及位于所述半导体基板内的至少一个存储单元,所述存储单元包括MOS晶体管及存储电容;所述MOS晶体管包括晶体管源极区及晶体管漏极区;所述晶体管源极区内有且仅有源极重掺杂区域,且晶体管漏极区内有且仅有漏极重掺杂区域。本发明结构紧凑,能与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容,提高嵌入式动态存储器的数据保留时间,降低嵌入式动态存储器的使用成本,安全可靠。 |
申请公布号 |
CN102751286A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210231255.X |
申请日期 |
2012.07.04 |
申请人 |
无锡来燕微电子有限公司 |
发明人 |
方英娇 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种与深亚微米CMOS逻辑工艺兼容的嵌入式动态存储器,包括半导体基板(1)及位于所述半导体基板(1)内的至少一个存储单元,所述存储单元包括MOS晶体管及存储电容;所述MOS晶体管包括晶体管源极区(11)及晶体管漏极区(12);其特征是:所述晶体管源极区(11)内有且仅有源极重掺杂区域,且晶体管漏极区(12)内有且仅有漏极重掺杂区域。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区长江路21-1号无锡国家集成电路设计园(创源大厦)208-3室 |