无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及其制备方法，其特征是半导体薄膜的微结构为颗粒膜结构，颗粒膜结构是由尺寸介于17-35nm的体心正交PbPdO2纳米晶粒构成。本发明薄膜具有室温铁磁性，其磁化强度随磁场增强在某一临界场会突然减小，其饱和磁化强度随温度上升而增大；本发明能够大幅提高自旋零禁带半导体的居里温度，使之在300K仍呈现铁磁性。

主权项

一种无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜，其特征是：所述半导体薄膜的微结构为颗粒膜结构，所述颗粒膜结构是由尺寸介于17‑35nm的体心正交PbPdO2纳米晶粒构成。