发明名称 延迟时间可调的芯片过流保护电路
摘要 本发明涉及集成电路设计领域。为解决传统过流保护技术中开关管闭合瞬间的大电流引起过流误判断以及影响正常过流保护功能的问题,本发明采取的技术方案是,延迟时间可调的芯片过流保护电路,包含前沿消隐LEB模块和过流比较器两部分,采样到的开关管DRV电流通过电阻转换为电压,通过前沿消隐模块,经过一段时间的延迟后,采样电压传递到比较器正端,当电压大于比较器参考电压Vref时,比较器输出ocp为高电平,比较器输出ocp控制开关管DRV为低电平,即出现过流情况时,比较器输出ocp控制开关管DRV断开,使电流下降,当过流情况消失时,过流信号自动解除。本发明主要应用于集成电路的设计制造。
申请公布号 CN102751696A 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201210219121.6 申请日期 2012.06.28
申请人 天津大学 发明人 高静;付园园;姚素英;徐江涛;史再峰
分类号 H02H3/08(2006.01)I;H02H3/06(2006.01)I 主分类号 H02H3/08(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 刘国威
主权项 一种延迟时间可调的芯片过流保护电路,其特征是,包含前沿消隐LEB模块和过流比较器两部分,采样到的开关管DRV电流通过电阻转换为电压,通过前沿消隐模块,经过一段时间的延迟后,采样电压传递到比较器正端,当电压大于比较器参考电压Vref时,比较器输出ocp为高电平,比较器输出ocp控制开关管DRV为低电平,即出现过流情况时,比较器输出ocp控制开关管DRV断开,使电流下降,当过流情况消失时,过流信号自动解除。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号