| 发明名称 | 半导体晶片表面保护用胶带 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，在特定的条件下对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102754200A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201080054015.6 | 申请日期 | 2010.12.21 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 横井启时;冈祥文;矢野正三 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;C09J5/02(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J133/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，以下述条件(a)～(d)对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下，(a)装置商品名为环刚度试验机，东洋精机社制；(b)圆环试验片形状长度为50mm以上，宽为10mm；(c)压头的压入速度3.3mm/sec；(d)压头的压入量从压头与圆环接触的时刻开始压入5mm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||