| 发明名称 | 制造非易失性存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成栅绝缘层和第一导电层；刻蚀所述第一导电层和所述栅绝缘层以暴露所述半导体衬底的一部分；通过反复地执行干法刻蚀工艺和清洗工艺而将沟槽形成到所述半导体衬底的目标深度，所述干法刻蚀工艺用于刻蚀被暴露的所述半导体衬底，所述清洗工艺用于去除在所述干法刻蚀工艺中产生的残留物；在所述沟槽内形成隔离层；在形成有所述隔离层的整个结构的表面上形成电介质层；以及在所述电介质层上形成第二导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN102751245A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201210036265.8 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 任洙贤;李承* |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;郭放 |
| 主权项 | 一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成栅绝缘层和第一导电层；刻蚀所述第一导电层和所述栅绝缘层以暴露所述半导体衬底的一部分；通过反复地执行干法刻蚀工艺和清洗工艺而将沟槽形成到所述半导体衬底的目标深度，所述干法刻蚀工艺用于刻蚀被暴露的所述半导体衬底，所述清洗工艺用于去除在所述干法刻蚀工艺中产生的残留物；在所述沟槽内形成隔离层；在形成有所述隔离层的整个结构的表面上形成电介质层；以及在所述电介质层上形成第二导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||