| 发明名称 | 在平坦化电极上的磁性隧道结 | ||
| 摘要 | 制造一种直接接触的磁性隧道结MTJ，其具有较低电阻、改进的合格率和较简单的制造。所述较低电阻改进所述MTJ中的读取与写入过程两者。将所述MTJ层(126)沉积在底部电极(124)上且与底部金属(122)对准。可邻近所述底部金属而沉积蚀刻止挡层(302)，以防止围绕所述底部金属的绝缘体过度蚀刻。在沉积所述MTJ层之前平坦化所述底部电极以提供实质上扁平表面。另外，可在所述MTJ层之前将下层(202)沉积在所述底部电极上以促进MTJ的所要特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102754233A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201180005887.8 | 申请日期 | 2011.01.14 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 升·H·康;李霞;陈维川;李康浩;朱晓春;徐华南 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种磁性隧道结，其包括：底部金属；底部电极，其在所述底部金属上；材料堆叠，其在所述底部电极上，所述材料堆叠小于所述底部电极且与所述底部金属实质上对准；以及顶部电极，其在所述材料堆叠上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||