| 发明名称 | 外延生长用内部改性衬底、带多层膜的内部改性衬底、半导体器件、半导体块状衬底以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。 | ||
| 申请公布号 | CN102753737A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201180009519.0 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 并木精密宝石株式会社;株式会社迪思科 | 发明人 | 会田英雄;青田奈津子;星野仁志;古田健次;浜元友三郎;本庄庆司 |
| 分类号 | C30B29/20(2006.01)I;B23K26/40(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人 | 张立岩 |
| 主权项 | 一种外延生长用内部改性衬底，其特征在于包含单晶衬底和通过对所述单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底内部的热改性层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都足立区新田3丁目8番22号 | ||