半导体存储器的内部电源电压生成电路及生成方法

摘要

本发明涉及半导体存储器的内部电源电压生成电路和生成方法，其目的在于提供一种能缩短从以比保证存取的规定的最小循环短的地址周期的数据读出工作转移至以规定的最小循环的数据读出工作时的存取延迟的半导体存储器的内部电源电压生成电路以及内部电源电压生成方法。一边对外部电源电压进行升压，生成升压电压并将其作为内部电源电压经由输出线供给到半导体存储器，一边向一端连接于输出线的电容器的另一端施加基准低电位，并且向该输出线施加外部电源电压，由此对电容器进行充电，在内部电源电压比阈值电压低的情况下，通过向该电容器的另一端施加外部电源电压，从而使输出线上的内部电源电压上升。

主权项

一种半导体存储器的内部电源电压生成电路，基于外部电源电压生成对半导体存储器进行驱动的内部电源电压，其特征在于，具有：第一升压部，将对所述外部电源电压进行升压后的升压电压作为所述内部电源电压经由输出线向所述半导体存储器供给；以及第二升压部，包含：电容器，一端连接于所述输出线；以及升压驱动控制电路，通过一边向所述电容器的另一端施加基准低电位一边向所述输出线施加所述外部电源电压，从而进行对所述电容器充电的充电工作，在所述内部电源电压比阈值电压低的情况下通过向所述电容器的另一端施加所述外部电源电压，从而使所述电容器的另一端的电位上升。