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发明名称 USING DIFFERENT GATE DIELECTRICS WITH NMOS AND PMOS TRANSISTORS OF A COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号 EP1761952(B1) 申请公布日期 2012.10.24
申请号 EP20050767666 申请日期 2005.06.24
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 METZ, MATTHEW;DATTA, SUMAN;KAVALIEROS, JACK;DOCZY, MARK;BRASK, JUSTIN;CHAU, ROBERT
分类号 H01L21/8238 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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