| 发明名称 | 半导体制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体制造方法，在批量离子注入工艺中，在虚设晶圆上形成与欲进行离子注入的晶圆上相同的光刻胶图案，这样，虚设晶圆与欲进行离子注入的晶圆的光刻胶传输比(PR transmission ratio)相同，因此同一批次中的各个晶圆总的光刻胶传输比可以保持稳定和一致，这使所需要的压力补偿在各个晶圆处保持稳定，便于控制，从而使最终的批量注入剂量可以保持稳定和一致。 | ||
| 申请公布号 | CN102751182A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201110095459.0 | 申请日期 | 2011.04.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李春龙;李俊峰 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体制造方法，包括：提供欲进行离子注入的晶圆，在所述欲进行离子注入的晶圆上形成第一光刻胶图案；提供虚设晶圆；将所述欲进行离子注入的晶圆和所述虚设晶圆置于离子注入设备中，进行批量离子注入；其特征在于：在进行所述批量离子注入之前，在所述虚设晶圆上形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案与所述第一光刻胶图案相同。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||