具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构及制造方法

摘要

一种具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构及制造方法，其中该方法包括以下步骤：先形成一第一导电型的一外延层于一基板上，接下来，形成多个栅极结构于该外延层内；形成具有该第一导电型的一浅层掺杂区于该外延层的表面，随后，形成一遮蔽结构于该浅层掺杂区上；接下来，利用该遮蔽结构形成具有一第二导电型的多个阱区于该外延层内，随后，形成具有该第一导电型的一源极掺杂区于阱区的表面；其中，该浅层掺杂区的掺杂浓度小于该源极掺杂区的掺杂浓度与该阱区的掺杂浓度，且该浅层掺杂区的掺杂浓度大于该外延层的掺杂浓度。本发明能够有效地降低源漏二极管正向压降(VSD)，得到具有快速切换能力与低切换功率损耗的沟渠式功率半导体。

主权项

一种具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；形成具有一第一导电型的一外延层于该基板上；形成多个栅极结构于该外延层内；形成具有该第一导电型的一浅层掺杂区于该外延层的表面；形成一遮蔽结构于该浅层掺杂区上；利用该遮蔽结构形成具有一第二导电型的多个阱区于该外延层内；以及利用该遮蔽结构形成具有该第一导电型的一源极掺杂区于阱区的表面；其中，该浅层掺杂区的掺杂浓度小于该源极掺杂区的掺杂浓度与该阱区的掺杂浓度，该浅层掺杂区的掺杂浓度大于该外延层的掺杂浓度。