发明名称 |
通孔优先铜互连制作方法 |
摘要 |
一种通孔优先铜互连制作方法,包括:在衬底上沉积介质层,以及在该介质层上涂布能够形成硬膜的第一光刻胶,并在该第一光刻胶中形成通孔结构;在该第一光刻胶图形上涂布化学微缩材料以固化所述通孔结构,并加热使该化学微缩材料与第一光刻胶表面反应,在该第一光刻胶表面形成隔离膜;在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶,其中,上述隔离膜不溶于该第二光刻胶,在该第二光刻胶中形成位于所述通孔结构上方的沟槽结构;将所述通孔结构和所述沟槽结构转移到所述介质层中;继续后续的导线金属和通孔金属填充。本发明利用可形成硬膜的光刻胶材料,减少了一步刻蚀步骤,大大地减少了制作成本,有效地提高了产能。 |
申请公布号 |
CN102751239A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210264542.0 |
申请日期 |
2012.07.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
毛智彪 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种通孔优先铜互连制作方法,其特征在于,包括:在衬底硅片上沉积介质层,并在所述介质层上涂布第一光刻胶,以及在所述第一光刻胶中形成通孔结构,所述第一光刻胶能够形成硬膜;在同一显影机台内,在所述第一光刻胶图形上涂布化学微缩材料使得所述第一光刻胶中的通孔结构固化,并通过加热使所述化学微缩材料与所述第一光刻胶表面反应,从而在所述第一光刻胶表面形成隔离膜;在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶,其中,上述步骤所形成的隔离膜不溶于该第二光刻胶,并在所述第二光刻胶中形成位于所述通孔结构上方的沟槽结构;将所述通孔结构和所述沟槽结构转移到所述介质层中;继续后续的金属沉积和金属化学机械研磨工艺,以完成导线金属和通孔金属填充。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |