| 发明名称 | 一种太阳电池的制绒工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳电池的制绒工艺，采用反应性离子刻蚀，具有如下步骤：a、选用射频功率为25～30Kw，向反应腔中通入CL2、SF6和O2气体，对硅片表面进行等离子体轰击，工艺时间为60～80s；b、选用射频功率为12～18Kw，向反应腔中通入CL2和SF6气体，对硅片表面进行等离子体轰击，工艺时间为20～30s；c、使用HF、HNO3和CH3COOH的混合液，对经过步骤b刻蚀后的硅片进行清洗。本发明在原先的RIE工艺基础上，增加了一步低射频功率的刻蚀，对硅片表面进行等离子体轰击，并在此过程中只通入CL2和SF6气体，由于不存在O2气体，CL2和SF6在低功率射频条件下将起到有效刻蚀损伤层的作用，保证开路电压的前提下，提高短路电流，获得更高的组件效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102751380A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201210206187.1 | 申请日期 | 2012.06.20 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 钟明 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
| 主权项 | 一种太阳电池的制绒工艺，采用反应性离子刻蚀，其特征是：具有如下步骤：a、选用射频功率为25～30Kw，向反应腔中通入CL2、SF6和O2气体，对硅片表面进行等离子体轰击，工艺时间为60～80s；b、选用射频功率为12～18Kw，向反应腔中通入CL2和SF6气体，对硅片表面进行等离子体轰击，工艺时间为20～30s；c、使用HF、HNO3和CH3COOH的混合液，对经过步骤b刻蚀后的硅片进行清洗，使清洗后硅片的反射率小于14%。 | ||
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||