发明名称 |
具有不同于感测放大器电路的页寄存器和存储器阵列下方的感测放大器接口的3D存储器装置 |
摘要 |
非易失性存储装置包括:衬底,在衬底的一部分上方的非易失性存储元件的单片式三维存储器阵列,与非易失性存储元件通信的多个感测放大器,与感测放大器通信的多个临时存储装置,与临时存储装置通信的页寄存器及一个或多个控制电路。一个或多个控制电路与页寄存器、临时存储装置和感测放大器通信。感测放大器在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。临时存储装置在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。页寄存器在衬底上、在未处于单片式三维存储器阵列下方的区域中。响应于一个或多个控制电路,感测放大器从非易失性存储元件读出的数据被传送至临时存储装置,随后传送至页寄存器。响应于一个或多个控制电路,待编程到非易失性存储元件中的数据从页寄存器传送至临时存储装置。 |
申请公布号 |
CN102754160A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201080056156.1 |
申请日期 |
2010.12.13 |
申请人 |
桑迪士克3D公司 |
发明人 |
戈皮纳特·巴拉科瑞斯南;杰弗里·库恩·伊·李;张宇恒;刘滋易;卢卡·法索利 |
分类号 |
G11C5/02(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C5/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
杨生平;钟锦舜 |
主权项 |
一种非易失性存储装置,包括:衬底;布置在所述衬底的一部分上方的非易失性存储元件的单片式三维存储器阵列;与所述非易失性存储元件通信的多个感测放大器,所述感测放大器被布置在所述衬底上、在所述单片式三维存储器阵列下方;与所述感测放大器通信的多个临时存储装置,所述临时存储装置被布置在所述衬底上、在所述单片式三维存储器阵列下方;与所述临时存储装置通信的页寄存器,所述页寄存器被布置在所述衬底上、在未处于所述单片式三维存储器阵列下方的区域中;以及与所述页寄存器、所述临时存储装置和所述感测放大器通信的一个或多个控制电路。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |