发明名称 |
一种存储器的编程方法 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器的编程方法。其中,存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线。该编程方法具体包含步骤:选择相连接的第一存储单元及第二存储单元,第一存储单元及第二存储单元共漏极,分别与第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线,与上述漏极相连的位线为漏极位线;分别从第一源极位线及第二源极位线输入编程电流到第一存储单元及第二存储单元,并从漏极位线输入编程电压,从而对第一存储单元及第二存储单元进行编程。 |
申请公布号 |
CN101807433B |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201010121436.8 |
申请日期 |
2010.03.10 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
杨光军;徐翌 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种存储器的编程方法,所述存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线,其特征在于,所述编程方法包含步骤:a、选择相连接的第一存储单元及第二存储单元,所述第一存储单元及第二存储单元共漏极,分别与所述第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线,与所述漏极相连的位线为漏极位线;b、分别从所述第一源极位线及第二源极位线同时输入相同的编程电流到所述第一存储单元及第二存储单元,并从所述漏极位线输入编程电压,从而对所述第一存储单元及第二存储单元进行编程。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 |