一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明适用于NMOS集成器件，提供了一种应变SiGe回型沟道NMOS集成器件，及用微米级工艺制备所述应变SiGe回型沟道NMOS集成器件的制备方法，所述制备方法过程为：在衬底上连续生长Si外延层、第一应变SiGe轻掺杂源漏区（LDD）层、应变SiGe层、第二应变SiGe轻掺杂源漏区（LDD）层和N型Si层；利用化学汽相淀积（CVD）、干法刻蚀等工艺手段形成漏区、源区和漏连接区，最终形成NMOS器件；光刻引线，构成NMOS集成电路。本发明在不追加任何资金和设备投入的情况下，在低温下制造出了较体Si NMOS性能提高的应变SiGe回型垂直沟道NMOS集成器件。

主权项

一种应变SiGe回型垂直沟道NMOS集成器件，其特征在于，所述器件的导电沟道为回型，且沟道方向与衬底表面垂直。