| 发明名称 | 氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、结晶调节剂、导电盐、缓冲剂、和以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂。 | ||
| 申请公布号 | CN102753732A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201180009515.2 | 申请日期 | 2011.03.18 |
| 申请人 | 美泰乐科技（日本）股份有限公司 | 发明人 | 中村宏 |
| 分类号 | C25D3/48(2006.01)I;C25D7/00(2006.01)I;H05K3/24(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、结晶调节剂、导电盐、缓冲剂、和以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||