利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法

摘要

本发明提供一种利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法，该方法通过将图形化和锗浓缩的方法相结合，获得一种保证产量和质量的SiGe和Ge纳米线的可控生长。本发明可以获得均匀而笔直的Ge或SiGe纳米线阵列，并且通过对氧化时间的控制可以获得不同组分的SiGe纳米线、以及Ge纳米线，最终形成的纳米线长度可达几百微米，直径达到几十纳米，通过图形的设计为之后纳米线器件打下基础。

主权项

一种利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法，其特征在于，至少包括：1）利用智能剥离工艺制备出SGOI结构；2）利用离子束刻蚀工艺在所述SGOI结构中的SiGe层上刻蚀出预定尺寸的待处理SiGe纳米线阵列；3）对所述步骤2)的结构进行锗浓缩，并控制锗浓缩的工艺条件以得到表面被SiO2层所包裹的预定尺寸的新SiGe纳米线或Ge纳米线阵列；4）利用HF分别腐蚀掉包裹各该新SiGe纳米线或Ge纳米线表面的SiO2层，得到新SiGe纳米线或Ge纳米线阵列。