利用多个曝光和阻挡掩模方式减少设计规则违反的半导体器件制造

摘要

制造半导体器件（400）的方法，其通过在衬底上形成硬掩膜材料层（408）开始，该衬底上包括半导体材料层（402）和半导体材料层（402）上方的绝缘材料层(404)，这样的话，硬掩膜材料层（408）则覆在绝缘材料层（404）之上。执行多个曝光光刻工艺来创建在硬掩模材料层（408）上方的光阻剂特征的组合图样，并且通过使用光阻剂特征的组合图样使凹线图样位于硬掩模材料中。继续执行该方法，通过利用掩模特征的阻挡图样（442）来覆盖凹线图样（422）的指定区域，并且在绝缘材料(404)中形成沟道图样（452），其中沟道图样（425）由光阻剂特征的阻挡图样（442）和硬掩模材料（408）来定义。随后，导电材料（472）被沉积在沟道（452）中，并生成半导体器件的导线。

主权项

一种在半导体器件结构上制造器件特征的方法，该方法包括：创建在该半导体器件结构的目标材料之上的第一光阻剂特征图样（301），该第一光阻剂特征图样（301）由第一部分光刻掩模（300）定义；创建在该目标材料之上的第二光阻剂特征图样（304，306），该第二光阻剂特征图样（304，306）由第二部分光刻掩模（302）定义，该第一光阻剂特征图样（301）和该第二光阻剂特征图样（304，306）一起形成光阻剂特征的组合图样；将该光阻剂特征的组合图样作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻该目标材料，并生成形成在该目标材料中的凹线图样（422）；并且形成第三光阻剂特征图样（322），其覆盖该凹线图样（422）的指定部分。