发明名称 像素阵列基板、显示面板、接触窗结构及其制造方法
摘要 本发明提供一种像素阵列基板、显示面板、接触窗结构及其制造方法。接触窗结构包括一第一导体层、一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一第二导体层。第一绝缘层覆盖第一导体层与一基板,且具有一第一接触窗。第二绝缘层覆盖第一绝缘层,且具有一第二接触窗。第二导体层覆盖第一接触窗与第二接触窗,并接触第一导体层暴露于第一接触窗的部分。第一绝缘层与第二绝缘层的材质不同,对于相同蚀刻液,第一绝缘层的被蚀刻速率大于第二绝缘层的被蚀刻速率。第二绝缘层靠近第一绝缘层的部分的被蚀刻速率大于第二绝缘层远离第一绝缘层的部分的被蚀刻速率。综上所述,本发明可提高接触窗结构的良率,确保后续形成的材料层的完整性,从而提高产品的可靠度。
申请公布号 CN102749779A 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201210259516.9 申请日期 2012.07.25
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 徐文斌;陈育懋;陈明炎;赵之尧
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张艳杰;张浴月
主权项 一种接触窗结构,包括:一第一导体层,配置于一基板上;一第一绝缘层,覆盖该第一导体层与该基板,且具有一第一接触窗,其中该第一导体层的一部分暴露于该第一接触窗;一第二绝缘层,覆盖该第一绝缘层,且具有一第二接触窗,其中该第一接触窗暴露于该第二接触窗,该第一绝缘层的材质不同于该第二绝缘层的材质,对于相同蚀刻液,该第一绝缘层的被蚀刻速率大于该第二绝缘层的被蚀刻速率,该第二绝缘层靠近该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率大于该第二绝缘层远离该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率;以及一第二导体层,覆盖该第一接触窗与该第二接触窗并接触该第一导体层暴露于该第一接触窗的部分。
地址 中国台湾新竹市