提高肖特基击穿电压且不影响MOSFET-肖特基整合的器件结构及方法

摘要

本发明提供一种提高肖特基击穿电压且不影响MOSFET-肖特基整合的器件结构及方法。其中，所述器件结构包括有源单元区域，具有若干个功率晶体管单元。每一个功率晶体管单元具有一个平面肖特基二极管，包括覆盖在相邻二个功率晶体管单元的分隔本体区域之间的缺口上方的肖特基结势垒金属，分隔的本体区域更提供调节每一个功率晶体管单元中肖特基二极管漏电流的功能。每一个平面肖特基二极管还包括一个位于缺口中，在二个相邻功率晶体管单元的分隔本体区域之间的浅离子植入区域，以进一步调节肖特基二极管的漏电流。每一个功率晶体管单元的分隔本体区域中还包括重体掺杂区域，位于源极区域旁边并环绕肖特基二极管，形成一个结势垒肖特基口袋区域。

主权项

一种半导体功率装置，包括一个具有若干功率晶体管单元的有源单元区域，其特征在于：每一个功率晶体管单元包括一个平面肖特基二极管，该平面肖特基二极管包括一肖特基结势垒金属，其覆盖在一缺口上方的区域，该缺口将相邻二个功率晶体管单元的本体区域分隔；其中被分隔的本体区域还包括环绕该肖特基二极管的若干重体掺杂区域，以提供调节每一个功率晶体管单元中肖特基二极管漏电流的功能。