横向晶体管及其制作方法

摘要

公开了一种横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管包括形成在栅区氧化物上的栅区和形成在厚栅区氧化物上的场板，所述场板电连接至源区，当横向晶体管处于关断状态时，该场板用于电容性耗尽漂移区。本发明可实现电容性耗尽和保护作用，同时不会增加栅漏之间的电容。

主权项

一种横向晶体管，包括：外延层，形成于衬底上；源区和漏区；栅区氧化物和厚栅区氧化物，形成于源区和漏区之间的外延层上，其中，所述厚栅区氧化物厚于所述栅区氧化物；栅区，形成于所述栅区氧化物上；场板，形成于所述厚栅区氧化物而非所述栅区氧化物上；层间电介质，具有第一通孔至所述源区，第二通孔至所述场板；以及源电极，通过穿过所述层间电介质的所述第一和第二通孔电连接至所述源区和所述场板。