| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：晶体管，该晶体管包括：沟道形成区域、源极区域、漏极区域、栅极绝缘膜、以及栅电极；第一层间绝缘膜，形成在晶体管上；第一电极，形成在第一层间绝缘膜上，电连接到源极区域和漏极区域之一方；第二电极，形成在第一层间绝缘膜上，电连接到源极区域及漏极区域之另一方；第二层间绝缘膜，形成在第一层间绝缘膜、第一电极、以及第二电极上；第一布线，形成在第二层间绝缘膜上，电连接到第一电极；以及第二布线，形成在第二层间绝缘膜上，不电连接到第二电极，其中，在第二电极中形成有断开区域，第二布线形成为到达断开区域，以使第二布线不电连接到第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102136482B | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201110039859.X | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 秋元健吾 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：晶体管，包括：沟道形成区域、源极区域、漏极区域、栅极绝缘膜、以及栅电极；第一层间绝缘膜，形成在所述晶体管上；第一电极，形成在所述第一层间绝缘膜上，并且电连接到所述源极区域和所述漏极区域之一方；第二电极，形成在所述第一层间绝缘膜上，并且电连接到所述源极区域及所述漏极区域之另一方；第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜、所述第一电极、以及所述第二电极上；第一布线，形成在所述第二层间绝缘膜上，并且电连接到所述第一电极；以及第二布线，形成在所述第二层间绝缘膜上，并且不电连接到所述第二电极，其中，在所述第二电极中形成有断开区域，并且所述第二布线形成为到达所述断开区域，以使所述第二布线不电连接到所述第二电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||