线阵CCD的一种抗晕结构

摘要

本发明公开了线阵CCD的一种抗晕结构，本发明通过独特的结构设计使每个抗晕单元由两个信号单元共用，本发明的有益技术效果是：在像元数量一定的条件，可有效减少抗晕漏数量，由抗晕漏的数量减少所节省出的空间，可用于增加其他结构体的尺寸，如果用于增加存储栅的尺寸可提高信号的输出幅度，使线阵CCD的性能得到改善，或者由抗晕漏的数量减少使线阵CCD上的结构体可以设置得更加紧密，在像元数量相同的条件下，制作出小尺寸的线阵CCD，提高图象的采集效果。

主权项

线阵CCD的一种抗晕结构，包括：设置在第一结构层（Ⅰ）上的存储栅（2）和抗晕栅（4），设置在第二结构层（Ⅱ）上的N区信道（1）、N‑溢出势垒区（4‑1）和抗晕漏（3），第一结构层（Ⅰ）和第二结构层（Ⅱ）之间通过SiO2（5）层隔离；位置互相匹配的一条存储栅（2）、一条N区信道（1）和一个N‑溢出势垒区（4‑1）即形成一个信号单元；位置相互对应的一个抗晕漏（3）和一条抗晕栅（4）即形成一个抗晕单元；位置互相对应的一个信号单元和一个抗晕单元即形成一个像元，多个像元按线阵排列组成线阵CCD；其特征在于：在第二结构层（Ⅱ）上，每间隔两个信号单元设置一抗晕单元，由抗晕单元两侧的信号单元共用一个抗晕单元；具体来说：设有位置顺次排列的第一信号单元、第一抗晕单元和第二信号单元，第一信号单元和第二信号单元共用第一抗晕单元，第一信号单元和第一抗晕单元即形成第一像元，第二信号单元和第一抗晕单元即形成第二像元；第一信号单元和第二信号单元各自对应一个N‑溢出势垒区（4‑1），两个N‑溢出势垒区（4‑1）之间设置有一N型掺杂区（3‑2），N型掺杂区（3‑2）用于抑制第一像元和第二像元内的信号相互溢出。