| 发明名称 | 从填充有中间层的沟槽生长Ⅲ-Ⅴ化合物半导体 | ||
| 摘要 | 一种形成集成电路结构的方法，包括：在衬底的至少一部分上方形成绝缘层；在绝缘层的顶面上方形成多个半导体柱。该多个半导体柱通过绝缘层的多个部分水平隔离。该多个半导体柱配置为周期性图案。该方法进一步包括：从半导体柱的顶面和侧壁外延生长III-V化合物半导体膜。此外，还公开了一种从填充有中间层的沟槽生长III-V化合物半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN102064098B | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201010267459.X | 申请日期 | 2010.08.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 万幸仁;柯志欣;吴政宪 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;熊须远 |
| 主权项 | 一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：设置衬底；在所述衬底的至少一部分上方形成绝缘层；在所述绝缘层的顶面上方形成多个半导体柱，其中，所述多个半导体柱通过所述绝缘层的多个部分水平隔离，并且其中，所述多个半导体柱配置为周期性图案；以及从所述半导体柱的顶面和侧壁外延生长III‑V化合物半导体膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||