发明名称 |
异质结太阳能电池结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种异质结太阳能电池结构及其制作方法,该电池结构为在非晶硅层上制作TCO/Ag/TCO透明导电膜,其制作方法为在P型硅片基材背面依次制作二氧化硅层、氮化硅层、铝层,随后采用激光烧结在硅片基材背面打孔,然后在300℃~400℃纯氮气下退火;翻转硅片,在硅片的正面沉积本征非晶硅层,然后再沉积n+非晶硅层,之后采用磁控溅射沉积TCO、Ag层、TCO,形成TCO/Ag/TCO透明导电膜,然后在320℃~450℃温度范围内,氮气和氢气混合气氛下退火10~30分钟。本发明的有益效果是:通过在TCO层加入银层,有利于降低电池电阻率,降低串联电阻,提高短路电流。加入二氧化硅层主要是提高背钝化,减少复合速度。在沉积形成透明导电膜后退火可以提高透光率,降低电阻。 |
申请公布号 |
CN102751339A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210140617.4 |
申请日期 |
2012.05.08 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
董科研 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种异质结太阳能电池结构,包括硅片基材,在硅片基材的受光面具有用于形成异质结的非晶硅层,在所述的非晶硅层上具有透明导电膜,透明导电膜上制作栅线,其特征是:所述的透明导电膜为TCO/Ag/TCO透明导电膜,在所述的硅片基材的背光面依次设置二氧化硅层、氮化硅层和铝层,铝层为最外层。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |