抛光方法以及栅极的形成方法

摘要

一种抛光方法和栅极的形成方法，所述栅极的形成方法包括：在半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括牺牲氧化层以及覆盖所述牺牲氧化层的多晶硅层；在所述伪栅结构周围形成侧墙；依次形成氮化硅层和覆盖所述氮化硅层的介质层，所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层、侧墙和衬底；对所述介质层抛光直至暴露出所述氮化硅层；在固结磨料抛光垫上抛光所述氮化硅层且停止于所述多晶硅层，抛光液中具有阴离子表面活性剂或两性离子表面活性剂，所述抛光液的PH值为10.5～11；去除所述伪栅结构后形成开口；在所述开口中形成栅极结构。所述抛光方法能够改善在固结磨料抛光垫上对氮化硅层进行抛光且停止于多晶硅层时产生的凹陷和过抛问题。

主权项

一种抛光方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有多晶硅层和覆盖所述多晶硅层的氮化硅层，在固结磨料抛光垫上对所述氮化硅层进行抛光操作，停止于所述多晶硅层，其特征在于，所述抛光操作采用的抛光液的PH值为10.5～11，所述抛光液中具有阴离子表面活性剂或两性离子表面活性剂。