基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器，其特征是光电探测器的结构层自下而上依次为：n-型掺杂Si片、感光层和石墨烯电极，感光层为p-型ZnSe纳米线，感光层与石墨烯电极之间为欧姆接触，在感光层的外围、位于n-型掺杂Si片与石墨烯电极之间设置有绝缘层，以绝缘层在n-型掺杂Si片与石墨烯电极之间进行绝缘。本发明能有效增强纳米光电探测器的电信号，提高其开关比，增大光电探测器感光层面积。

主权项

基于p‑型ZnSe纳米线/n‑型Si异质结的光电探测器，其特征是所述光电探测器的结构层自下而上依次为：n‑型掺杂Si片(4)、感光层(3)和石墨烯电极(1)，所述感光层(3)为p‑型ZnSe纳米线，所述感光层(3)与石墨烯电极(1)之间为欧姆接触，在所述感光层(3)的外围、位于n‑型掺杂Si片(4)与石墨烯电极(1)之间设置有绝缘层(2)，以所述绝缘层(2)在n‑型掺杂Si片(4)与石墨烯电极(1)之间进行绝缘。