| 发明名称 | 用于GIS缺陷模拟的平面与平面电极间隙 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种用于GIS缺陷模拟的平面与平面电极间隙，包括第一平面电极、第二平面电极和有机玻璃筒，所述的第一平面电极、第二平面电极均设置在有机玻璃筒内，所述的第一平面电极与第二平面电极间设有间隙，所述的第二平面电极接地。与现有技术相比，本实用新型具有电场均匀、可模拟接触不良及浮电位体缺陷等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN202502206U | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201220117311.2 | 申请日期 | 2012.03.25 |
| 申请人 | 上海市电力公司;华东电力试验研究院有限公司 | 发明人 | 高凯;倪浩;刘兆林 |
| 分类号 | G01R31/12(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人 | 宣慧兰 |
| 主权项 | 一种用于GIS缺陷模拟的平面与平面电极间隙，其特征在于，包括第一平面电极、第二平面电极和有机玻璃筒，所述的第一平面电极、第二平面电极均设置在有机玻璃筒内，所述的第一平面电极与第二平面电极间设有间隙，所述的第二平面电极接地。 | ||
| 地址 | 200122 上海市浦东新区源深路1122号 | ||